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Entwurf von GaAs-MESFET-Analogschaltern für Abtastschaltungen

 
: Feng, S.; Sauerer, J.; Hagelauer, R.; Seitzer, D.

Glesner, M. ; VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik -GME-; Informationstechnische Gesellschaft -ITG-; Gesellschaft für Informatik -GI-, Bonn:
Rechnergestützter Entwurf und Architektur mikroelektronischer Systeme. Vorträge ITG-Fachtagung 1992
Berlin: VDE-Verlag, 1992 (ITG-Fachbericht 122)
ISBN: 3-8007-1905-3
pp.103-112
Informationstechnische Gesellschaft (Fachtagung) <1992, Darmstadt>
Fachtagung Rechnergestützter Entwurf und Architektur Mikroelektronischer Systeme <1992, Darmstadt>
German
Conference Paper
Fraunhofer IIS A ( IIS) ()
Abtastschaltung; circuit design; circuit theory; Gallium Arsenid; gallium arsenide; sampling circuit; Schalter; Schaltungsentwurf; Schaltungstheorie; switch

Abstract
Bei der Entwicklung analoger Abtastschaltungen stellt der Schalter als Schlüsselkomponente hohe Anforderungen an Geschwindigkeit und Genauigkeit. Im vorliegenden Beitrag werden Charakterisierungs-und Entwurfsverfahren von GaAs-MESFET-Analogschaltern untersucht. Zu Beginn werden ein physikalisches passives Modell und ein verbessertes aktives Raytheon-Modell für Analogschalter vorgestellt. Die Ersatzschaltbildelemente des passiven Modells weisen eine AbhSngigkeit von den Gate-, Source- und Drainspannungen auf. Bei dem aktiven Modell wird zusStzlich der Leckstrom hervorgerufen durch Substrate- und OberflSchenverluste, berücksichtigt. Ausgehend von dem passiven Modell wird der LSngstransistorschalter bezüglich Eingangsspannungsbereich, Frequenzbereich, Schaltfehler und Schaltrauschen charakterisiert. Eine Schalterkonfiguration mit zwei Dummy-Transistoren wurde entwickelt. Die ²berprüfung durch HSPICE-Simulationen zeigt, dass diese Schaltung eine Verbesserung der Genauigkeit enthSlt.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-12627.html