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Elektrische und optische Eigenschaften von ErAs und ErAs/GaAs Vielfachschichten hergestellt mit MBE auf GaAs

Electrical and optical properties of ErAs and ErAs/GaAs multilayers on GaAs by MBE

: Ralston, J.D.; Fuchs, F.; Hiesinger, P.; Schneider, J.; Herres, N.; Ennen, H.; Wennekers, P.

	Schwaderer, B. ; Informationstechnische Gesellschaft -ITG-: Heterostruktur-Bauelemente : Vorträge der ITG-Fachtagung vom 25. bis 27. April 1990 in Schwäbisch Gmünd Berlin: VDE-Verlag, 1990 (ITG-Fachbericht 112) ISBN: 3-8007-1690-9 pp.8-13 : Abb.,Lit.
	Informationstechnische Gesellschaft (Fachtagung) <1990, Schwäbisch Gmünd>

	German
	Conference Paper
	Fraunhofer IAF ()
	crystal field; GaAs; heterostructure; Heterostruktur; Kristall-Feld; MBE; metal-semiconductor; Metall-Halbleiter; rare earth; Seltene Erden; strained layer; verspannte Schicht

Abstract
Dünne ErAs-Schichten, die mit MBE auf GaAs aufgewachsen wurden, zeigen sowohl metallische Leitfähigkeit als auch spektral schmalbandige (0,6 meV) optische Absorption bei 1,54 mym Wellenlänge auf Grund von Übergängen innerhalb der 4f-Schale von Er(hoch 3+). Die elektrische Charakterisierung wurde mit temperaturabhängigen Hall-Messungen und Strom/Spannungsmessungen an Dioden durchgeführt. Vorläufige Ergebnisse zeigen, daß die im Absorptionsspektrum beobachteten Kristallfelderaufspaltungen zur Charakterisierung von Gitterverspannungen in ErAs/GaAs-Vielfachschichten verwendet werden können.