Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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The electronic structure of heavily doped ion implanted laser annealed silicon - ellipsometric measurements

Colloque C5, supplement au No.10, Torne 44, octobre 1983.
 
: Axmann, A.; Vina, L.; Umbach, C.; Compaan, A.; Cardona, M.

Journal de physique (1983), pp.C5/203-C5/208 : Abb.,Tab.,Lit.
ISSN: 0302-0738
English
Journal Article
Fraunhofer IAF ()
Ellipsometermessung; Laserausheilung; Silizium(hochdotiert)

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-11713.html