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Durchgängige Simulation von Prozessen und Strukturen der Mikrosystemtechnik

: Stephan, R.; Kunze, D.; Erlebach, A.; Richter, F.; Todt, U.

	Barke, E. ; VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik -GME-: Mikroelektronik '95 : Vorträge der GME-Fachtagung Berlin: VDE-Verlag, 1995 (GME-Fachbericht 15) ISBN: 3-8007-2085-X pp.305-308
	VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik (Fachtagung) <1995, Baden-Baden>

	German
	Conference Paper
	Fraunhofer IMS, Außenstelle Dresden ( IPMS) ()
	FIM; Finite-Elemente-Methode (FEM); Halbleiterbauelement; Mikrosystemtechnik; Sensorik; Sensortechnologie; simulation

Abstract
Die Mikroelektronik bietet in Kombination mit anderen Mikrotechniken hervorragende Möglichkeiten zur monolithischen oder hybriden Realisierung von Mikrosystemen. Die rechnergestützte Analyse von Prozessen und Strukturen der Mikrosystemtechnik verlangt dabei immer mehr nach einer durchgängigen Simulation. Im vorliegenden Beitrag werden, basierend auf umfangreichen Erfahrungen in der Simulation auf dem Gebiet der Mikroelektronik und Mikrosensorik, die Forderungen und Inhalte an eine durchgängige Simulation von Prozessen und Strukturen der Mikrosystemtechnik formuliert. Notwendig sind ein dreidimensionaler Strukturgenerator sowie ein Modell zur Kopplung von Halbleiter- und Sensor-/Aktor-Simulator. Beide neuen Tools werden in ihren Hauptbestandteilen dargestellt. Anwendungsbeispiele sollen die Möglichkeiten der Simulation verschiedener Strukturen der Mikrosystemtechnik demonstrieren.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-10328.html