Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Dünnschichtsolarzellen aus Galliumarsenid

 

Programm Energieforschung und Energietechnologien. Statusreport 1990
1990
pp.37/1-37/20
Photovoltaik <1990, Bad Neuenahr>
German
Conference Paper
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Mittels Heteroepitaxie und selektiver Epitaxie aus der Gasphase werden Verfahren für Herstellung von GaAs-Solarzellen auf Fremdsubstrat entwickelt. Auf Eigensubstrat werden GaAs-Schichten durch Flüssigphasenepitaxie hergestellt und zu Solarzellen von hohem Wirkungsgrad (bis 20,7%) und sehr guten Werten von Leerlaufspannung (Voc=1,04V) und Füllfaktor (FF=0,86) prozessiert.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-10291.html