Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Dünnschicht-Solarzellen aus Galliumarsenid

 
: Wettling, W.

Stubenrauch, F. ; Bundesministerium für Forschung und Technologie -BMFT-, Bonn; Forschungszentrum Jülich, Projektträger Biologie, Energie, Ökologie -BEO-:
Programm Energieforschung und Energietechnologien. Statusreport 1993 Photovoltaik
Jülich: BEO, 1993
pp.50/1-50/17
Statusseminar Photovoltaik <1993, Bad Breisig>
German
Conference Paper
Fraunhofer ISE ()
GaAs; liquid phase epitaxy; LPE; MBE; molecular beam epitaxy; Si; silicium

Abstract
Im Rahmen eines vierjährigen Forschungsvorhabens wurden Epitaxie, Charakterisierung und Technologie von GaAs für Solarzellen bearbeitet. Durch eine Kombination von Molekularstrahl- (MBE gleich molecular beam epitaxy) und Flüssigphasenepitaxie (LPE gleich liquid phase epitaxy) wurden Heteroschichtsysteme von GaAs auf Si hergestellt, die niedrige Versetzungswerte zeigen. Nach dem sehr einfachen Flüssigphasen-"Etchback-Regrowth"-Epitaxie (LPE-ER)-Verfahren wurden sehr gute Altief0.9Gatief0.1As/GaAs Heteroface-Schichten gewachsen. Durch Weiterentwicklung der Technologie gelang es, daraus Solarzellen mit bis zu 23.3 % (AM 1.5) Wirkungsgrad zu prozessieren. Erste Arbeiten an Konzentrator-Solarzellen erbrachten Wirkungsgrade von etwa 25 % (AM 1.5) bei Konzentration von C gleich 120.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-10290.html