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Optisches System mit einer Strahlungsquelle fuer elektromagnetische Strahlung im extremen ultravioletten Bereich und einem reflektierenden Element

Alternating molybdenum-silicon multilayer and reflector for oblique far-ultraviolet beam, satisfying Bragg equation, operates with interfacial node location.
 
: Braun, S.; Mai, H.

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DE 2002-10210422 A: 20020304
DE 2002-10221116 A: 20020503
EP 2003-400006 A: 20030303
EP 1351258 B1: 20051116
G02B0027
G21K0001
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IWS ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein optisches System mit einer Strahlungsquelle fuer elektromagnetische Strahlung im extremen ultravioletten Bereich und einem reflektierenden Element. Sie kann besonders vorteilhaft fuer lithographische Anwendungen bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen eingesetzt werden. Mit der Erfindung soll die Aufgabe geloest werden, ein kostenguenstiges herstellbares optisches System zur Verfuegung zu stellen, das auch eine hoehere maximale Reflektivitaet erreichen kann. Dabei sind auf einem Substrat ein Multischichtsystem mit alternierend angeordneten Schichten aus Mo und Si, als Schichtpaare ausgebildet. Die jeweilige elektromagnetische Strahlung wird unter einem Winkel auf die Oberflaeche des Multischichtsystems gerichtet, wobei die Dicke d der Schichtpaare bei der jeweiligen Wellenlaenge der elektromagnetischen Strahlung die Braggsche Gleichung erfuellen. Zumindest innerhalb des Multischichtsystems tritt ein stehendes elektrisches Feld auf. Erfingungsgemaess sind die Dicken dmo und dsi der Schichten so gewaehlt, dass die Konoten des elektrischen Wellenfeldes jeweils unmittelbar an Grenzflaechen zwischen solchen Einzelschichten und/oder die Wellenbaeuche vor oder nach solchen Grenzflaechen angeordnet sind.

 

EP 1351258 A UPAB: 20031030 NOVELTY - Thicknesses of molybdenum and silicon layers are selected to locate nodes of the standing electromagnetic wave field at interfaces. Alternatively they are selected to locate the antinodes before or after interfaces. USE - An optical system comprising an alternating molybdenum-silicon multilayer and a reflector for an oblique far-ultraviolet beam, in a geometry satisfying the Bragg equation. ADVANTAGE - Preparation expenditure and manufacturing costs are minimized for a device operating in the far ultraviolet. Maximum reflectivity is improved. The multilayer system occupies an ultra-low thermal expansion (ULE) substrate similar to those used in microelectronics, i.e. silicon, sapphire, ceramic or glasses. Because nodes are located at interfaces, virtually no losses result there, even when they are large in number, about 10 being preferred. Interlayers inhibiting silicide formation need not be especially transparent for the same reason, further elements and compounds being suggested. Over 70% reflectivity is achieved. The reflector included, has a curved surface, enabling focusing or beam-formation.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PP-1461.html