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Title
Photodiode
Date Issued
2004
Author(s)
Hehemann, Ingo
Kemna, Armin
Patent No
2002-10223202
Abstract
Eine Photodiode umfasst neben einem Halbleitersubstrat und einem photoempfindlichen Bereich in dem Halbleitersubstrat, der einen Raumladungszonenbereich zum Erzeugen eines Diffusionsstromanteils und einen Diffusionsbereich zum Erzeugen eines Diffusionsstromanteils aufweist, eine Isolationseinrichtung in dem Halbleitersubstrat zum zumindest teilweisen Eingrenzen des Diffusonsbereichs gegenueber einem angrenzenden Umgebungsbereich des Halbleitersubstrats. Die Verringerung der Bandbreite von Photodioden durch das Verschmieren der Antwort der Photodiode durch den Diffusionsstrom wird dadurch gemindert, dass eine Isolationseinrichtung in dem Halbleitersubstrat vorgesehen wird, welche den Diffusionsbereich gegenueber dem umgebenden Halbleitersubstrat eingrenzt und hierdurch einerseits die Anzahl von zum Diffusionsanteil beitragenden Ladungstraegern dadurch verringert, dass der Diffusionsbereich, in welchem die diffundierenden Ladungstraeger erzeugt werden, verringert wird, und andererseits dadurch, dass in dem verkleinerten Diffusionsbereich erzeugte diffundierende Ladungstraeger durch die Isolationseinrichtung "abgesaugt" werden, weshalb dieselben nicht zum Photostrom beitragen.
WO2003100871 A UPAB: 20040115 NOVELTY - The device has a semiconducting substrate (12), a photosensitive region (18,24) in the substrate with a spatial charging zone region (18) for producing a drift current component and a diffusion region (24) for producing a diffusion current component and an isolation device (20) in the substrate for at least partly delimiting the diffusion region from a bounding surrounding region (28) of the substrate. USE - E.g. for optical memories and optical messaging. ADVANTAGE - Enables faster reading.
Language
de
Patenprio
DE 2002-10223202 A: 20020524