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Title
Verfahren zur Abscheidung transparenter leitfaehiger Schichten
Date Issued
2004
Author(s)
Egel, M.
Winkler, T.
Goedicke, K.
Patent No
2002-10224990
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung transparenter leitfaehiger Schichten auf der Basis von Oxiden der chemischen Elemente Sn und In durch Magnetronsputtern, bei welchem dem fuer die Ausbildung des Plasmas verwendeten Arbeitsgas ein Anteil von 5 bis 50 Volumenprozent Helium zugesetzt wird.
WO2003104518 A UPAB: 20040123 NOVELTY - Depositing transparent conducting layers based on oxides of Sn, Zn, In and Ce involves using magnetron sputtering, in which 5-50 vol.% helium is added to the working gas used to form the plasma. USE - In thin layer systems, for processing architectural glass or for optical plastic films. ADVANTAGE - The layers have low specific electrical resistance and high transparency.
Language
de
Patenprio
DE 2002-10224990 A: 20020605