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Title
Reflektierendes Element fuer freie Elektronen Laserstrahlung, Verfahren zu seiner Herstellung uns seine Verwendung
Date Issued
2004
Author(s)
Gatto, A.
Kaiser, N.
Thielsch, R.
Patent No
2002-10227367
Abstract
Die Erfindung betrifft reflektierende Elemente fuer freie Elektronen-Laserstrahlung, ein Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung, wobei ein Wellenlaengenbereich zwischen 150 bis zu 500 nm abgedeckt werden kann. Es soll die Aufgabe geloest werden, mit erfindungsgemaessen reflektierenden Elementen den Einsatz auch bei Arbeitswellenlaengen unterhalb 300 nm mit einer freien Elektronen-Laserstrahlquelle arbeiten zu koennen, die ausserdem ein einfaches Justieren und ein schnelles Bestimmen des Resonators auf eine Arbeitswellenlaenge erlauben. Beim reflektierenden Element ist auf einem Substrat ein erstes Wechselschichtsystem, dessen Schichtpaare aus SiO2 und einem ersten Metalloxid oder Fluorid, das eine hoehere Brechzahl als SiO2 aufweist, oder zwei Fluoriden unterschiedlicher Brechzahl bestehen, mit jeweiligen ?/4-Schichtdicken fuer ein Wellenlaengenintervall im Bereich um eine erste Wellenlaenge ?2 ausgebildet. Auf diesem ersten Wechselschichtsystem ist eine Uebergangsschicht aus SiO2 oder dem ersten Metalloxid oder einem Fluorid aufgebracht. Auf dieser Uebergangsschicht ist wiederum ein zweites Wechselschichtsystem, dessen Schichtpaare aus SiO2 und einem zweiten Metalloxid oder Fluorid, das eine hoehere Brechzahl als SiO2 aufweist, oder zwei Fluoriden unterschiedlicher Brechzahl bestehen, mit jeweiligen ?/4-Schichtdicken fuer ein Wellenlaengenintervall im Bereich um eine zweite Wellenlaenge ?1 ausgebildet. Dabei ist die zweite Wellenlaenge ?1 kleiner als die ...
DE 10227367 A UPAB: 20040210 NOVELTY - Reflecting element comprises a first alternating layer system having layer pairs of SiO2 and a first metal oxide or fluoride having a higher refractive index than SiO2 or two fluorides of different refractive index on a substrate with lambda /4 layer thicknesses for a wavelength interval in the region around a first wavelength lambda 2, a transition layer made from SiO2 or the first metal oxide or fluoride on the first alternating layer system, and a second alternating layer system having layer pairs of SiO2 and a second metal oxide or fluoride having a higher refractive index than SiO2 or two fluorides of different refractive index on a substrate with lambda /4 layer thicknesses for a wavelength interval in the region around a second wavelength lambda 1. The second wavelength is smaller than the first wavelength. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a process for the production of the reflecting element. USE - For adjusting an optical resonator of a free electron laser beam source (claimed). ADVANTAGE - A resonator can be quickly and easily adjusted to an operating wavelength.
Language
de
Patenprio
DE 2002-10227367 A: 20020613