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Title
Verfahren und Einrichtung zur wechselweisen Abscheidung zweier Materialien durch Kathoden-Zerstaeubung
Date Issued
2004
Author(s)
Winkler, T.
Goedicke, K.
Bluethner, R.
Liebig, J.
Patent No
2002-10234861
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine zugehoerige Einrichtung zur wechselweisen Abscheidung zweier Materialien durch Kathoden-Zerstaeubung zur Abscheidung eines Schichtsystems aus wenigstens zwei stofflich unterschiedlichen uebereinander liegenden Schichten, bei dem von einem Target, welches aus mindestens zwei Teiltargets der unterschiedlichen Materialien besteht und die elektrisch miteinander gekoppelt sind, die Teiltargets unterschiedlichen Plasmadichten ausgesetzt werden, wobei in einem ersten Betriebszustand eine magnetfelderzeugende Einrichtung so erregt wird, dass zunaechst das erste Teiltarget aus dem einen Material durch eine Magnetronentladung zerstaeubt wird, waehrend das zweite Teiltarget aus dem anderen Material einer nicht magnetfeldverstaerkten Glimmentladung ausgesetzt wird, ohne dabei zerstaeubt zu werden, anschliessend in einem zweiten Betriebszustand die magnetfelderzeugende Einrichtung so erregt wird, dass das erste Teiltarget einer nicht magnetfeldverstaerkten Glimmentladung ausgesetzt wird, ohne zerstaeubt zu werden, und das zweite Teiltarget durch eine Magnetronentladung zerstaeubt wird, wonach in den ersten Betriebszustand zurueckgekehrt werden kann.
DE 10234861 A UPAB: 20040331 NOVELTY - A process for alternately depositing layers of two different materials by cathodic atomization comprises using an electrically coupled two-part target whose materials are alternately excited for sputtering by magnetron discharges, one being active and the other inactive and having different plasma densities. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a device to operate the above process. USE - As a process and device for the alternating deposition of two different materials on a substrate (claimed) for electronic multilayers, micromechanical devices, sensors and thin film memories ADVANTAGE - Multilayers are formed with high precision, uniformity and with sharp boundaries; no intermediate cleaning steps are needed.
Language
de
Patenprio
DE 2002-10234861 A: 20020731