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Verfahren und Vorrichtung zur grossflaechigen Beschichtung von Substraten bei Atmosphaerendruckbedingungen

Coating substrates with silicon dioxide layers comprises passing gas stream into plasma source, driving off plasma from large volume plasma from plasma source, and further processing.
 
: Hopfe, V.; Maeder, G.; Rogler, D.; Schreuders, C.

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DE 2002-10239875 A: 20020829
DE 2002-10239875 A: 20020829
EP 2003-18084 A: 20030808
DE 10239875 A1: 20040318
EP 1394283 A1: 20040303
C23C0016
C23C0004
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IWS ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und Vorrichtung zur grossflaechigen Beschichtung von Substraten bei Atmosphaerendruckbedingungen, wobei unter letzterem ein Druckintervall von ± 300 Pa um den jeweiligen Umgebungsatmosphaerendruck verstanden werden soll. Mit der erfindungsgemaessen Loesung sollen Beschichtungen bei Atmosphaerendruckbedingungen auf grossen Flaechen, bei gleichzeitiger Vermeidung der unerwuenschten Partikelbildung erhalten werden koennen. Zur Loesung dieser Aufgabe wird in eine Plasmaquelle ein erster Gasstrom gefuehrt, der Plasma aus einem grossvolumigen Plasma aus der Plasmaquelle austreibt und das erzeugte Plasma durch mindestens eine Schlitzduese oder eine Mehrzahl von Duesen auf eine zu beschichtende Oberflaeche des Substrates, die innerhalb einer abgedichteten Reaktionskammer angeordnet ist, richtet. Die Schichtausbildung erfolgt unmittelbar auf der Oberflaeche des Substrates durch physiko-chemische Reaktion mindestens einer Komponente eines Precursors. Der Precursor ist Bestandteil mindestens eines zweiten Gasstromes, der in die Reaktionskammer und in den Einflussbereich des aus der Plasmaquelle austretenden Plasmas gerichtet wird. Weiter wird durch Einstellung der Volumenstroeme, der Stroemungsgeschwindigkeiten und/oder der Stroemungsrichtungen des Plasmas und des zweiten Gasstromes sowie des Abstandes von Duesenoeffnungen fuer das Plasma und eines vorgebbaren Innendrucks in der Reaktionskammer gesichert, dass die physiko-chemische Reaktion zur Ausbildung der ...

 

EP 1394283 A UPAB: 20040405 NOVELTY - Coating substrates under atmospheric pressure conditions comprises passing a first gas stream (10) into a plasma source (1), driving off the plasma from a large volume plasma from the plasma source, directing the plasma through a nozzle (3) onto the substrate (4), and aligning the layer formation on the surface of the substrate by a physical-chemical reaction of a precursor as component of a second gas stream (6). The physical-chemical reaction is carried out directly on the surface of the substrate by adjusting the volume stream, flow speed and/or flow direction of the plasma (12) and gas stream and the distance of the nozzles for the plasma and adjusting the inner pressure in the reaction chamber (5). DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a device for carrying out the above process. USE - Used for coating substrates with silicon dioxide layers. ADVANTAGE - Unwanted particle formation is avoided.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PP-1370.html