Fraunhofer-Gesellschaft

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Molekularstrahl-Epitaxie und Charakterisierung von Gruppe III-Arsenid/Nitridischen Halbleitern

Molecular beam epitaxy and characterization of III-arsenide/nitride semiconductors
 
: Geppert, T.

Freiburg, 2002, 132 pp.
Freiburg/Brsg., Univ., Dipl.-Arb., 2002
German
Thesis
Fraunhofer IAF ()
MBE; III-AsN; GaAsN; GaInAsN; GaAs; InP; AlGaAsN; raman spectroscopy; Ramanspektroskopie

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-9659.html