Fraunhofer-Gesellschaft

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Nano-Röntgentomographie für Prozesskontrolle und Fehleranalyse in der Halbleiterindustrie

Nano X-ray tomography for process control and failure analysis in the semiconductor industry
 
: Braun, S.; Zschech, E.; Yun, W.

Kastner, J. ; FH OÖ Forschungs & Entwicklungs GmbH, Wels:
Industrielle Computertomografie Tagung 2008. Proceedings : Fachtagung, 27. - 28. Februar 2008, Wels/Austria
Aachen: Shaker, 2008
ISBN: 978-3-8322-6949-4
ISBN: 3-8322-6949-5
pp.53-57
Industrielle Computertomografie Tagung <1, 2008, Wels>
German
Conference Paper
Fraunhofer IWS ()
Halbleiterherstellung; zerstörungsfreie Prüfung; Nanometerbereich; Defekt; Prozessüberwachung; Fehleranalyse; Röntgentomographie; dreidimensionale Bildverarbeitung; Probenbehandlung; Bildauflösung

Abstract
Die zerstörungsfreie Abbildung von sub-50nm Strukturen und Defekten stellt eine Herausforderung für Prozesskontrolle und Fehleranalyse in der Halbleiterindustrie dar. In den letzten Jahren wurden hochauflösende Röntgenmikroskope mit Drehanoden-Röhren entwickelt, die in einem Analytik-Labor in unmittelbarer Nähe einer Halbleiter-Fab betrieben werden können. Diese TXM/XCT-Systeme bieten eine neue Möglichkeit der zerstörungsfreien 3D-Abbildung von Schaltkreis-Strukturen, ohne dass eine zerstörende Probenpräparation (z. B. die Herstellung von Querschnittsproben) erforderlich ist. Das Potential von TXM/XCT-Laborsystemen zur Fehlerlokalisierung in mikro- und nanoelektronischen Bauelementen wird diskutiert. Anwendungen für backend-of-line-Strukturen scheinen in den nächsten Jahren realistisch, z. B. zur Abbildung von Hohlräumen (voids) und von organischen Verunreinigungen (residuals) in on-chip-Interconnects. Fresnel-Zonenplatten ermöglichen heute eine Auflösung von 30 bis 50 nm im harten (multi-keV) Energiebereich der Röntgenstrahlen, jedoch erscheinen 10 nm und darunter mit neuen Röntgenoptiken erreichbar zu sein.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-95587.html