Fotoempfindliches Halbleiterbauelement

(A1) Bei einem Halbleiterbauelement (1) mit einer fotoempfindlichen dotierten Halbleiterschicht (2), in der bei Absorption elektromagnetischer Strahlung (6) elektrische Ladungstraeger freigesetzt werden, weist die fotoempfindliche Halbleiterschicht (2) eine strukturierte Grenzflaeche (7) auf. Der strukturierten Grenzflaeche (7) ist mindestens eine Schicht (3) nachgeordnet, die ein elektrisches Feld zur Trennung der freigesetzten Ladungstraeger erzeugt, wobei sich das elektrische Feld ueber die strukturierte Grenzflaeche (7) erstreckt. Das fotoempfindliche Halbleiterbauelement (1) zeichnet sich durch eine hohe Effizienz der Ladungstraegertrennung, insbesondere zur Erzeugung eines elektrischen Stroms, aus.

DE 102007024478 A1 UPAB: 20081222 NOVELTY - The semiconductor component (1) comprises a photosensitive doped semiconductor layer (2), in which electric charge carriers are released during the absorption of electromagnetic radiation (6). The photosensitive semiconductor layer has a structured boundary layer (7). The structured boundary layer is positioned after one layer (3) that generates an electric field for separating the released charge carriers, where electric field extending over the structured boundary surface. The transparent electrically conductive material is a transparent conductive polymer. USE - Semiconductor component, particularly a photosensitive semiconductor component for solar cell. ADVANTAGE - The photosensitive semiconductor layer has a structured boundary layer, which is positioned after one layer that generates an electric field for separating the released charge carriers, where electric field extending over the structured boundary surface, and thus enables a high light penetration into the silicon substrate.