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Schneller Photoleiter und Verfahren zur Herstellung und Antenne mit Photoleiter

Photoconductor for use in antenna, has photo conducting semiconductor layer between two boundary layers, where electrodes are connected with semiconductor layer for lateral current flow between electrodes through semiconductor layer
 
: Sartorius, B.; Künzel, H.; Röhle, H.; Biermann, K.

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DE 102007012475 A: 20070315
DE 102007012475 A: 20070315
H01L0031
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer HHI ()

Abstract
(A1) Ein Photoleiter mit einem Schichtstapel mit einer fuer einen vorbestimmten Wellenlaengenbereich photoleitenden Halbleiterschicht zwischen zwei Halbleitergrenzschichten mit einem groesseren Bandabstand als die photoleitende Halbleiterschicht auf einem Substrat, wobei die Halbleitergrenzschichten tiefe Stoerstellen zum Einfangen und zur Rekombination von freien Ladungstraegern aus der photoleitenden Halbleiterschicht aufweisen, und zwei Elektroden, die mit der photoleitenden Halbleiterschicht verbunden sind, fuer einen lateralen Stromfluss zwischen den Elektroden durch die photoleitende Halbleiterschicht.

 

DE 102007012475 A1 UPAB: 20081008 NOVELTY - The photoconductor has a layer stack with a photo conducting semiconductor layer between two semiconductor boundary layers having a band gap larger than the semiconductor layer on a substrate. The semiconductor boundary layers exhibit deep defects for catching and recombination of free charge carriers from the photo conducting semiconductor layer. Two electrodes are connected with the photo conducting semiconductor layer for a lateral current flow between the electrodes through the semiconductor layer. The semiconductor layer is doped with beryllium. DETAILED DESCRIPTION - INDEPENDENT CLAIMS are also included for the following: (1) an antenna for radiation and receipt of terahertz radiation with the photo conductor (2) a method for producing a photoconductor. USE - Photoconductor for producing electromagnetic terahertz radiation, in an antenna, which is utilized for radiation and receipt of terahertz radiation (claimed). ADVANTAGE - The photoconductor is designed in such a manner that the photoconductor exhibits improved characteristics with respect to mobility of charge carriers and dark conductivity, which is suitable for a wavelength ranging up to 2 micrometers.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-86257.html