Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Verfahren zum Herstellen einer Durchkontaktierung zwischen zwei Oberflaechen eines Halbleitersubstrats

Feedthrough producing method, involves metallizing borehole wall of clearence hole, and maintaining electrical contact to metal layer, where surface coating is laid at semiconductor substrate
 
: Böttcher, L.; Ostmann, A.; Manessis, D.

:
Frontpage ()

DE 102006045836 A: 20060922
DE 102006045836 A: 20060922
H01L0021
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IZM ()

Abstract
(A1) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Durchkontaktierung zwischen zwei Oberflaechen eines Halbleitersubstrats (1), bei dem zunaechst ein erstes Durchgangsloch (3) in das Halbleitersubstrat (1) gebohrt wird und auf zwei Oberflaechen des Halbleitersubstrats (1) Oberflaechenbelaege (4) mit einer dem Halbleitersubstrat (1) zugewandten dielektrischen Schicht (6) aufgebracht und an das Halbleitersubstrat (1) angepresst werden, so dass das erste Durchgangsloch (3) vollstaendig mit einem die dielektrische Schicht (6) bildenden, in das erste Durchgangsloch (3) hineingedrueckten dielektrischen Material gefuellt wird, wonach ein zweites Durchgangsloch (7) durch das das erste Durchgangsloch (3) fuellende Material gebohrt und eine Bohrlochwand des zweiten Durchgangslochs (7) metallisiert wird.

 

DE 102006045836 A1 UPAB: 20080620 NOVELTY - The method involves boring a clearance hole (3) in a semiconductor substrate (1) i.e. semiconductor wafer, and applying a surface covering (4) on two surfaces of the semiconductor substrate. A borehole wall of the clearance hole is metallized. An electrical contact to a metal layer (5) is maintained, where the surface coating is laid at the substrate. The surface coating is applied on a dielectric layer (6), where the surface coating includes the metal layer. USE - Method for producing feedthrough between two surfaces of a semiconductor substrate i.e. semiconductor wafer. ADVANTAGE - The method facilitates production of the feedthrough between two surfaces of the semiconductor substrate i.e. semiconductor wafer, with smaller expenditure.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-82015.html