Fraunhofer-Gesellschaft

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Preiswerter mikromechanischer RF-Schalter im hermetisch dichten Gehäuse

Für unterschiedliche Frequenzen geeignet
Cost saving micromchanical RF-switch in hermetic sealing. Adapted for different
 
: Lisec, T.

Markt und Technik (2007), No.44, pp.26-27
ISSN: 0344-8843
German
Journal Article
Fraunhofer ISIT ()
Gehäusedeckel; Gold; hermetisches Abdichten; Hochfrequenzbauelement; Keramik; MEMS; Nickel; Niedrigtemperatur; Schichtstruktur; Silicium-Wafer; Wafer-Montage

Abstract
Im Fraunhofer-Institut für Silizium-Technologie ISIT in Itzehoe wurde ein mikromechanischer Hochfrequenzschalter (RF-MEMS-Schalter - Micro-Electro-Mechanical System (MEMS)) entwickelt und in die Fertigung überführt. Der Aufbau und die Funktionsweise werden beschrieben und anhand von zwei Bildern dargestellt. Bei dem für die HF-Bauteile verwendeten oberflächenmikromechanischen Verfahren mit metallischer Aufbaustruktur werden Siliziumwafer in einem Niedertemperaturprozess hintereinander mit Metall- und Isolationslayer beschichtet und mit Belichtungs- und Ätzmethoden strukturiert. Als Basismaterial wird eine Kombination aus Nickel und Gold benutzt. Kritischer Punkt bei der Entwicklung des Packaging-Verfahrens war die Limitierung der Prozesstemperatur auf maximal 300 Grad C. Ein weiteres Packaging-Verfahren für HF-MEMS-Schalter wurde im Rahmen des EU-Forschungsprojekts 'RF PLATFORM' entwickelt, bei dem keramische Deckel aus LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics) einzeln auf ein komplett mit RF-Schaltern prozessierten Wafer montiert werden. Fehlerhafte Deckel werden vor dem Einhäusen ausgesondert. Der Einsatz der HF-MEMS-Schalter ist für folgende Anwendungen vorgesehen: Mobilfunkgeräte, Basisstationen, drahtlose Breitbandkommunikationssysteme und Automobil-Radarsysteme (Abstandsregelung, Einparkhilfe).

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-76546.html