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Title
Vorrichtung und Verfahren zur Ausbildung duenner Schichten auf Substratoberflaechen
Date Issued
2006
Author(s)
Dresler, B.
Hopfe, V.
Dani, I.
Patent No
102006042328
Abstract
(A1) Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Ausbildung duenner Schichten auf Substratoberflaechen. Es ist Aufgabe der Erfindung, Moeglichkeiten zur Verfuegung zu stellen, mit denen duenne Schichten auf Substratoberflaechen hergestellt werden koennen, die eine bestimmte Schichtwerkstoffausbildung mit gewuenschten Eigenschaften aufweisen. Die erfindungsgemaesse Vorrichtung ist dabei so ausgebildet, dass an einem Reaktionskammerbereich oberhalb einer zu beschichtenden Substratoberflaeche eine Zufuehrung fuer mindestens einen gasfoermigen Precursor vorhanden ist, der zur Schichtbildung beitraegt. Ausserdem ist eine elektromagnetische Strahlung emittierende Quelle, die eine Plasmaquelle ist, so angeordnet, dass mit der emittierten elektromagnetischen Strahlung eine photolytische Aktivierung von Atomen und/oder Molekuelen des/der Precursor(en) erfolgt. Die Plasmaquelle sollte dabei so angeordnet sein und soll auch so betrieben werden, dass kein unmittelbarer Einfluss des Plasmas auf die Substratoberflaeche und die zur Schichtausbildung fuehrenden Precursoren auftritt.
WO 2008025352 A2 UPAB: 20080331 NOVELTY - The device for forming thin layers on substrate surfaces, comprises reaction chamber region (11) present above a substrate surface (1), flushing gas supply for gaseous precursor that contributes to layer formation, an exhaust gas suction and an electric arc- or microwave source (2) arranged within the chamber region, in which an atmospheric pressure is present. The electric arc- or microwave source is arranged in such a way that the emitted electromagnetic radiation effects photolytic activation of atoms and/or molecules of the precursors. DETAILED DESCRIPTION - The device for forming thin layers on substrate surfaces, comprises reaction chamber region (11) present above a substrate surface (1), flushing gas supply for gaseous precursor that contributes to layer formation, an exhaust gas suction and an electric arc- or microwave source (2) arranged within the chamber region, in which an atmospheric pressure is present. The electric arc- or microwave source is arranged in such a way that the emitted electromagnetic radiation effects photolytic activation of atoms and/or molecules of the precursors, and is operated in such a way that there is no direct influence of the plasma on the substrate surface and on the precursors. A pressure of plus minus 300 Pa is kept in the region around the atmospheric pressure. The electric arc- or microwave source is emitted electromagnetic radiation with wavelength of less than 230 mm. The substrate and the chamber region with plasma source are relatively movable to each other. The flushing gas is supplyable into a gap between the substrate surface and the chamber region and a sealing is formed in relation to the environment atmosphere. An INDEPENDENT CLAIM is included for a method for forming thin layers on substrate surfaces. USE - Device for forming thin layers on substrate surfaces (claimed). ADVANTAGE - The device is compact and ensures effective formation of thin layers on substrate surfaces.
Language
de
Patenprio
DE 102006042328 A: 20060901