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Flächige Leuchtquellen für die Mikrosystemtechnik auf Basis organischer Leuchtdioden (OLED)

 
: Amelung, J.; Toerker, M.; May, C.; Tomita, Y.; Eritt, M.; Löffler, F.; Gil, T.-H.; Hermann, R.

VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik, Mikro- und Feinwerktechnik -GMM-; VDI/VDE Innovation+Technik, Berlin:
MikroSystemTechnik KONGRESS 2007 : 15.-17. Oktober, Dresden, Proceedings
Berlin: VDE-Verlag, 2007
ISBN: 3-8007-3061-8
ISBN: 978-3-8007-3061-2
pp.1029-1032
MikroSystemTechnik Kongress <2007, Dresden>
German
Conference Paper
Fraunhofer IPMS ()
Beleuchtungssystem; OLED; PIN-Technologie; Display

Abstract
Beleuchtungssysteme sind essentiell für die Realisierung photonischer Mikrosysteme. Momentan werden in verschiedensten Anwendungen hauptsächlich traditionelle Leuchtquellen und Laser eingesetzt, heute und in Zukunft werden insbesondere die kostengünstigen Festkörperlichtquellen einen wichtigen Marktbereich darstellen. Neben den bereits eingesetzten Punktquellen auf Basis von anorganischen Leuchtdioden (LED) ermöglichen flächige Lichtquellen auf Basis von organischen Leuchtdioden neue Integrationsmöglichkeiten.
Innerhalb des Beitrags werden Entwicklungen auf Basis organischer Leuchtdioden für flächige Lichtkörper dargestellt. Mit einem Zweifarbweißsystem (blau/gelb) in PIN-Technologie wurden erfolgreich hochstabile OLEDSysteme mit bis zu 12 lm/W und Lebensdauern von größer als 8000 Stunden (für 1000 cd/m2) realisiert. Nach der Herstellung dieser Referenz wurden Leuchtquellen bis zu einer Größe von 200x200mm2 (Leuchtfläche 170x170 mm2) erfolgreich hergestellt. Um eine homogene Leuchtverteilung zu erhalten, wurden metallische Zusatzleitungen konzipiert, die zu einer effektiven Leitfähigkeitsreduktion des transparenten Leiters (Indium-Zinn-Oxid) führen. Neben den einseitig leuchtenden Systemen werden auch Ergebnisse beidseitig leuchtender OLEDs dargestellt. Hierzu wurden hochtransparente OLEDs in PIN-Technologie entwickelt, welche beidseitig strahlend genutzt werden können. Für ein orangenes Leuchtsystem konnten, bei mittleren Transparenzen von >65 % (Wellenlängebereich 400 - 700nm) im Off-State, Effizienzen von größer 9 cd/A in die eine Richtung und größer 6 cd/A in die zweite Richtung erreicht werden.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-65624.html