Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Halbleiter-Bauelement mit einer pseudomorphen Halbleiterschicht am pn-Uebergang

Semi conductor component e.g. tunnel diode has n-doped semiconductor layer and p-doped semiconductor layer and pseudomorphic semiconductor layer with adjacent n-doped layer area is formed at n-doped semiconductor layer
 
: Yang, Q.; Driad, R.

:
Frontpage ()

DE 102005060033 A: 20051215
DE 2005-102005060033 A: 20051215
DE 102005060033 B3: 20070816
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IAF ()

Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiter-Bauelement, insbesondere eine Tunneldiode oder Rueckwaertsdiode, das zumindest eine n-dotierte Halbleiterschicht und eine p-dotierte Halbleiterschicht aufweist, zwischen denen ein pn-Uebergang ausgebildet ist, der die Einstellung eines Tunnelstroms ermoeglicht. Zwischen der p-dotierten und der n-dotierten Halbleiterschicht ist zumindest eine pseudomorphe Halbleiterschicht mit einem an die n-dotierte Halbleiterschicht angrenzenden n-dotierten Schichtbereich und einem an die p-dotierte Halbleiterschicht angrenzenden p-dotierten Schichtbereich ausgebildet, die eine kleinere Energieluecke als die n-dotierte und die p-dotierte Halbleiterschicht aufweisen und den pn-Uebergang bilden. Das vorliegende Halbleiter-Bauelement weist einen signifikant hoeheren Tunnelstrom in Rueckwaertsrichtung auf als bekannte derartige Halbleiter-Bauelemente.

 

DE 102005060033 B3 UPAB: 20070924 NOVELTY - The semi conductor component has n-doped semiconductor layer (402) and p-doped semiconductor layer (408). The pseudomorphic semiconductor layer with adjacent n-doped layer area (404) is formed at the n-doped semiconductor layer and an adjacent p-doped layer area (406) is formed at the p-doped semiconductor layer. A small energy gap exists for n-doped and p-doped semiconductor layer and form the pn junction. USE - Semi conductor component e.g. tunnel diode or back ward diode. ADVANTAGE - The tunnel current density in backward direction is increased due to the smaller energy gap of the active area and the backward diodes have high speed, quadrate principle behavior and are temperature insensitive.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-63970.html