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High brightness GaSb-based optically pumped semiconductor disk lasers at 2.3 µm

GaSb-basierte, optisch gepumpte Halbleiter-Scheibenlaser hoher Brillanz bei 2.3 µm Emissionswellenlänge

	Razeghi, M. ; Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers -SPIE-, Bellingham/Wash.: Quantum sensing and nanophotonic devices IV : 22 - 25 January 2007, San Jose, California, USA Bellingham, WA: SPIE, 2007 (SPIE Proceedings Series 6479) ISBN: 978-0-8194-6592-4 Paper 647915
	Conference "Quantum Sensing and Nanophotonic Devices" <4, 2007, San Jose/Calif.>

	English
	Conference Paper
	Fraunhofer IAF ()
	semiconductor disc laser; Halbleiter-Scheibenlaser; infrared laser; Infrarot-Laser; VECSEL; OPSDL; optical pumping; optisches Pumpen; GaSb; 2 µm; modal gain; modaler Gewinn; resonance-gain offset; Differenz zwischen Gewinn- und Resonanzwellenlänge; high brightness; hohe Brillanz