Fraunhofer-Gesellschaft

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Verfahren zur Entfernung einer dotierten Oberflaechenschicht an Rueckseiten von kristallinen Silizium-Solarwafern

 
: Hopfe, V.; Dani, I.; Rosina, M.; Heintze, M.; Moeller, R.; Wanka, H.; Lopez, E.

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Frontpage ()

DE 102005029154 A1: 20050617
DE 2005-102005040596 A: 20050816
WO 2006-DE1058 A: 20060614
DE 102005040596 A8: 20070405
WO 2006133695 A1: 20061221
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IWS ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum einseitigen Entfernen einer dotierten Oberflaechenschicht an Rueckseiten von kristallinen Silizium-Solarwafern. Gemaess der getellten Aufgabe sollen dotierte Oberflaechenschichten von Rueckseiten solcher Solarwafer kostenguenstig und bei substratschonender Handhabung entfernt werden koennen. Ausserdem soll die Frontseite nicht veraendert werden. Erfindungsgemaess wird im Bereich des Atmosphaerendruckes mit einem Plasma ein Aetzgas auf die rueckseitige Oberflaeche von Silizium-Solarwafern gerichtet.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-60872.html