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Title
Verfahren zur Entfernung einer dotierten Oberflaechenschicht an Rueckseiten von kristallinen Silizium-Solarwafern
Date Issued
2007
Author(s)
Hopfe, V.
Dani, I.
Rosina, M.
Heintze, M.
Moeller, R.
Wanka, H.
Lopez, E.
Patent No
102005029154
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum einseitigen Entfernen einer dotierten Oberflaechenschicht an Rueckseiten von kristallinen Silizium-Solarwafern. Gemaess der getellten Aufgabe sollen dotierte Oberflaechenschichten von Rueckseiten solcher Solarwafer kostenguenstig und bei substratschonender Handhabung entfernt werden koennen. Ausserdem soll die Frontseite nicht veraendert werden. Erfindungsgemaess wird im Bereich des Atmosphaerendruckes mit einem Plasma ein Aetzgas auf die rueckseitige Oberflaeche von Silizium-Solarwafern gerichtet.
Language
de
Patenprio
DE 102005029154 A1: 20050617