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Title
ICs mit aluminiumgebondeten Substraten sowie Verfahren zu deren Herstellung durch Direktkontaktierung mittels Ultraschall
Date Issued
2007
Author(s)
Reinert, W.
Patent No
102005039477
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils mit einer ankontaktierten aktiven Struktur, umfassend die folgenden Schritte: (1) Bereitstellen eines Halbleiterwafers, dessen Oberseite mit einem oder mehreren nach oben offenen metallischen Kontakten (Kontaktfenstern) versehen ist, (2) Aufbringen mindestens einer duennen Aluminium-Kontakterhebung in leitender Verbindung mit jeweils einem der metallischen Kontakte, (3) Ausrichten der Oberseite des Halbleiterwafers parallel und zur Oberseite ("Landeflaeche") eines metallischen oder auf dieser Oberseite metallische Strukturen aufweisenden Substrats hin, und zwar ggf. derart, dass die Aluminium-Kontakterhebung(en) auf dem Halbleiterwafer mit (einer) metallischen Struktur(en) des Substrats fluchtet/fluchten, oder vice versa, (4) Anpressen des Halbleiterwafers an das Substrat, und (5) Anschweissen des Halbleiterwafers an das Substrat mittels Ultraschall. Ferner betrifft die Erfindung entsprechende Halbleiterbauteile mit Aluminiumkontakten.
DE 102006003835 A1 UPAB: 20070402 NOVELTY - A method for fabricating a semiconductor module with a contacted active structure involves preparing a semiconductor wafer, locating at least one thin aluminum-contact elevation into conducting connection with the one of the metallic contacts and aligning the surface of the wafer parallel to and towards the upper face of a substrate having a metallic structure, and pressing the wafer on to the substrate and welding the wafer on to the substrate by ultrasound. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is given for a semiconductor component/module. USE - For joining semiconductor wafers with open contact windows to metallised substrates, such as e.g. coils/antennas; and for fabrication of impedance-controlled electronic circuits e.g. flip-chips direct contacting on etched aluminum coils. ADVANTAGE - Facilitates cost-favorable realization of structures particularly structures with stable contact metallizations.
Language
de
Patenprio
DE 102005039477 A1: 20050818