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Ferroelektrisches Material, MEMS-Bauteil mit einem ferroelektrischen Material, MEMS-Vorrichtung mit einem ersten MEMS-Bauteil, Verfahren zur Herstellung eines MEMS-Bauteils und Verfahren zur Herstellung eines CMOS-kompatiblen MEMS-Bauteils

 
: Wagner, Bernhard; Lofink, Fabian; Kaden, Dirk; Fichtner, Simon

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Frontpage ()

DE 102018203812 A1: 20180313
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISIT ()

Abstract
Ferroelektrisches Material mit einem Mischkristall, der AIN und mindestens ein Nitrid eines Übergangsmetalls umfasst. Der Anteil des Nitrids des Übergangsmetalls ist so gewählt, dass eine Richtung einer Polarität des ferroelektrischen Materials durch Anlegen einer Umschaltspannung umschaltbar ist. Die Umschaltspannung liegt dabei unterhalb einer Durchbruchspannung des ferroelektrischen Materials.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-586077.html