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Title
Mobile, unipolare, elektrostatische Waferanordnung
Date Issued
2006
Author(s)
Bollmann, D.
Bleier, M.
Wieland, R.
Patent No
102005008336
Abstract
Ein ultraduenner Wafer (1) wird mithilfe von einem mobilen, elektrostatischen Traegerwafer (2) gehalten und kann damit in den Geraeten der Halbleiterindustrie bearbeitet, transportiert und gelagert werden. Der Traegerwafer besteht vorzugsweise aus Silizium, um in der Waermeausdehnung angepasst zu sein und den Reinheitsanforderungen der Halbleiterindustrie zu genuegen. Er ist von einem Dielektrikum (3) umhuellt, welches auf der Rueckseite teilweise freigeaetzt ist, um einen Rueckseitenkontakt zu bilden. Durch Anlegen einer Spannung wird ein elektrostatisches Feld zwischen Traeger- und Nutzwafer aufgebaut, welches den ultraduennen Nutzwafer sicher haelt. Dieser Sandwich aus Traeger und Nutzwafer kann dann wie ein normal dicker Wafer in Geraeten bearbeitet, von Handlern transportiert und in Waferhorden gelagert werden.
DE 102005008336 A1 UPAB: 20061010 NOVELTY - The arrangement has an utilizable wafer layer (1) and a carrier layer (2) with two surfaces from a semiconducting material e.g. silicon. Thermal and mechanical characteristics of the carrier layer are same to that of the wafer layer. One of the surfaces is partially covered with an electrically isolating layer (3). The wafer layer is arranged adjacent to a side (3a) of the layer (3) and the side is turned away from the carrier layer. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for an electrostatic holding method for holding a semiconducting material having an utilizable wafer layer. USE - Used in an integrated circuit of a smart card. ADVANTAGE - The utilizable wafer can be managed in a simple and reliable manner. The arrangement enables avoiding of the break damage to the utilizable wafer. The carrier layer is from the semiconductor material e.g. silicon, thus the carrier layer is applicable over a large temperature range, is insensitive against solvents and is sufficiently smooth. The use of the semiconductor material prevents entering of the foreign material for a pure area and the danger of contamination e.g. contamination with metals.
Language
de
Patenprio
DE 102005008336 A: 20050223