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Verfahren und Vorrichtung zur Inaktivierung von Trapping-Effekten in dotierten Halbleitern

Method for deactivating trapping effects by free charge carriers in semiconductor involves injection of subband photons with energy smaller than the difference in energy between valence band and conduction band of semiconductor
 
: Schubert, M.; Rein, S.; Isenberg, J.; Warta, W.; Glunz, S.W.

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DE 102005010582 A: 20050304
DE 2005-102005010582 A: 20050304
WO 2006-EP1962 A: 20060303
DE 102005010582 A1: 20060914
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Inaktivierung von Trapping-Effekten in einem Halbleiter sowie eine Implementierung dieses Verfahrens in einer Vorrichtung und einem Verfahren zur Messung der Ladungstraegerdichte freier Ladungstraeger in einem Halbleiter. Wesentlich ist, dass in den halbleiter Subband-Photonen mittels einer Subband-Photonenquelle injiziert werden, zur Inaktivierung der Trapping-Effekte. Die Subband-Photonen besitzen Energien, die kleiner als die Energiedifferenz zwischen Valenz- und Leitungsband des Halbleiters sind.

 

WO 2006092321 A1 UPAB: 20061103 NOVELTY - The method involves injecting subband photons from e.g. a laser source into a semiconductor (6), preferably heated to 60degreesC in order to empty the trap level. The subband photons are provided with energies that are smaller than the difference in energy between the conduction band and the valence band of the semiconductor. DETAILED DESCRIPTION - INDEPENDENT CLAIM are also included for the following: (A) Device for measuring the charge carrier density; and (B) Method for measuring charge carrier density USE - For deactivating trapping effects by free charge carriers in a semiconductor. ADVANTAGE - Ensures reduction in measuring error while measuring charge carrier density.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-51800.html