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Title
Verfahren zum Herstellen einer Nanostruktur auf einem Substrat
Date Issued
2006
Author(s)
Bruenger, W.H.
Fink, D.
Patent No
102005011345
Abstract
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Nanostruktur und insbesondere zum Herstellen einer Nanostruktur auf einem Substrat oder Si-Wafer durch Ionenbestrahlung und anschliessende elektrodenlose Abscheidung in einer uebersaettigten Loesung. Es gibt zahlreiche schon verwirklichte moegliche Ansaetze zum Herstellen einer Nanostruktur auf einem Substrat. Zu denken sind hierbei primaer an die wohl bekannten lithographischen Verfahren, die in den letzten Jahren die Mikrometer-Schwelle unterschritten haben. Es sind aber auch alternative Verfahren entwickelt worden, z. B. liefern Block-Copolymere haeufig regulaere Muster in Nanometer-Dimensionen, die man zur Erzeugung eines regulaeren Feldes von Nanopartikeln nehmen koennte, z. B. ueber die unterschiedliche Benetzbarkeit der verschiedenen Zonen. Des Weiteren koennen selbst organisierende Materialien wie z. B. poroeses Aluminiumoxid mit Poren und deren Abstaenden in der Nanometer-Groessenordnung mit metallischen oder halbleitenden Materialien gefuellt werden. Ein weiterer Ansatz waehlt die Kanten einzelner Atomlagen eines leicht schraeg angeschliffenen Ionenkristalls (z. B. NaC1) als bevorzugte Nukleationszentren z. B. fuer auf der Oberflaeche dieser Kristalle diffundierende Metallatome. Ueblicherweise weisen die Verfahren zum Herstellen einer Nanostruktur auf einem Substrat im Wesentlichen zwei Schritte auf, wobei diese zwei Schritte je nach Art der Herstellungsverfahren sich aus weiteren Teilschritten ...
WO 2006094574 A1 UPAB: 20061103 NOVELTY - Method involves irradiating a defined surface of the substrate (18) through ions for producing a nanostructure (22a,22b,22c) on required region (18a,18b,18c) of the surface. The irradiation brings about a selective alteration of the surface properties of the substrate. DETAILED DESCRIPTION - The method then involves the introduction of irradiating substrate into a supersaturated solution (20), which contains the material required to produce nanostructure. The material has been selectively deposited on the defined region in electroless fashion. The method then involves the removal of substrate form the solution after selective deposition of material. USE - For producing a nanostructure on a substrate. ADVANTAGE - Ensures minimum scattering by adjusting the distance between the mask and the substrate.
Language
de
Patenprio
DE 102005011345 A: 20050311