Fraunhofer-Gesellschaft

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Extracting activation and compensation ratio from aluminum implanted 4H-SiC by modeling of resistivity measurements

Bestimmung der Aktivierung und Kompensation von Aluminium-implantiertem 4H-Siliciumcarbid mittels Modellierung von Widerstandsmessungen
 
: Rambach, M.; Frey, L.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.

:

Devaty, R.P.:
Silicon carbide and related materials 2005. Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials : Pittsburgh, Pennsylvannia, USA, September 18 - 23, 2005
Uetikon-Zürich: Trans Tech Publications, 2006 (Materials Science Forum 527/529)
ISBN: 0-87849-425-1
pp.827-830
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) <11, 2005, Pittsburgh/Pa.>
English
Conference Paper
Fraunhofer IISB ()

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-49870.html