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Title
Verfahren zum Abscheiden einer CdTe-Schicht auf einem Substrat
Date Issued
2017
Author(s)
Patent No
102016101856
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden einer CdTe-Schicht auf einem Substrat (2) innerhalb einer Vakuumkammer (1) mittels physikalischer Gasphasenabscheidung, bei welcher das Substrat (2) vor dem Abscheideprozess auf eine Beschichtungstemperatur erwärmt und anschließend an mindestens einem Gefäß (3) vorbeigeführt wird, in welchem CdTe (4) in einen dampfförmigen Zustand überführt wird, wobei durch mindestens einen Einlass (5) eine gasförmige Komponente mit, einem erhöhtem Druck (gegenüber dem Vakuum in der Vakuumkammer) gegen die zu beschichtenden Oberfläche des Substrates (2) strömt, so dass die gasförmige Komponente an der zu beschichtenden Oberfläche des Substrates (2) adsorbiert, bevor das Substrat (2) an dem mindestens einen Gefäß (3) vorbeigeführt wird.
Language
de
Patenprio
DE 102016101856 A1: 20160203