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Title
Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten mittels eines Co-Diffusionsprozesses sowie mit diesem Verfahren hergestelltes dotiertes Halbleitersubstrat
Date Issued
2017
Author(s)
Patent No
102015226516
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten mittels eines Co-Diffusionsprozesses. Hierbei werden zunächst Halbleitersubstrate zumindest einseitig mit einer mindestens einen ersten Dotierstoff enthaltenden Schicht beschichtet. Jeweils zwei dieser Halbleitersubstrate werden so in einer Prozesskammer angeordnet, dass zwei ihrer beschichteten Seiten in unmittelbaren Kontakt gebracht werden.
Language
de
Patenprio
DE 102015226516 A1: 20151222