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Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten mittels eines Co-Diffusionsprozesses sowie mit diesem Verfahren hergestelltes dotiertes Halbleitersubstrat

Method for doping semiconductor substrates by means of a co-diffusion process and doped semiconductor substrate produced by means of said method
 
: Rothhardt, Philip; Wolf, Andreas; Meier, Sebastian; Biro, Daniel; Werner, Sabrina

:
Frontpage ()

DE 102015226516 A1: 20151222
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten mittels eines Co-Diffusionsprozesses. Hierbei werden zunächst Halbleitersubstrate zumindest einseitig mit einer mindestens einen ersten Dotierstoff enthaltenden Schicht beschichtet. Jeweils zwei dieser Halbleitersubstrate werden so in einer Prozesskammer angeordnet, dass zwei ihrer beschichteten Seiten in unmittelbaren Kontakt gebracht werden.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-461704.html