Halbleiterbauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung von anorganisch-organischen Hybridpolymeren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer Metall-Isolator-Struktur (MIS), das als Grundbestandteile ein Substrat, eine Schicht aus einem organischen Halbleitermaterial und eine dielektrische Schicht als Isolator enthaelt. Von diesen Grundbestandteilen wird das Substrat und/oder die dielektrische Schicht aus einem anorganisch-organischen Hybridpolymer gewaehlt. Weiterhin betriftt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung derartiger Halbleiterbauelemente sowie die Verwendung von anorganisch-organischen Hybridpolymeren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen.

DE1004051616 A UPAB: 20060523 NOVELTY - Semiconductor component (A) with a metal insulation structure comprises a substrate (I), organic semiconductor material layer (II) and a dielectric layer (III), as insulator (where (I) and/or (III) consist of an inorganic-organic hybrid polymer (IV)). DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for the preparation of (A) USE - (IV) is useful: in the production of semiconductor components; as substrate for the crystalline growth small molecules; as substrate for organized application of organic semiconductor components; and as dielectric layer (claimed). ADVANTAGE - (IV) is halogen-free and transparent. (IV) is stable chemicals and solvents that is used in semiconductor electronic (all claimed).