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Lichtsensitives Halbleiterbauelement

Light sensitive semiconducting component for x-ray detector has path region, dot zones in contact with it of opposite doping, pn junction in contact area of path region with each dot zone.
 
: Lauter, J.P.; Kemna, A.; Brockherde, W.; Hausschild, R.D.

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Frontpage ()

DE 2001-10112374 A: 20010315
EP 2002-100255 A: 20020314
EP 1241710 A2: 20020918
H01L0031
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IMS ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein lichtsensitives Halbleiterbauelement aus Pixeln (1), bei welchem n-dotierte Dot-Zonen (7) in einem vorzugsweise hexagonalen Muster auf der Oberflaeche eines p-dotierten Bahngebietes angeordnet sind, wobei die Dot-Zonen (7) eines Pixels (1) durch elektrische Leitungen (6) miteinander beziehungsweise mit einer Sammelleitung (4) verbunden sind Die Dot-Zonen (7) stellen parallel geschaltete Halbleiterdioden dar, mit welchen Minoritaetsladungstraeger nachgewiesen werden koennen, die durch Lichteinfall im Bahngebiet erzeugt wurden und von dort durch Diffusion zu den Dot-Zonen (7) gatangt sind Durch die genannte Anordnung ist bei hoher Empfindlichkeit im gesamten Bahngebiet eine minimale Kapazitaet des in CMOS-Technik aufgebauten Halbleiters moeglich. Ein Ausdiffundieren von Ladungstraegern aus einem Pixelbereich heraus wird durch einen Guardring (3) entgegengesetzter Dotierung verhindert.

 

EP 1241710 A UPAB: 20040405 NOVELTY - The device has a path region with a first doping and dot zones (7) in contact with it of opposite doping, whereby there is a pn junction in the contact area of the path region with each dot zone. At least one group of dot zones that are electrically connected to each other in parallel. The dot zones of the group are arranged in relation to each other. DETAILED DESCRIPTION - INDEPENDENT CLAIMS are also included for the following: an x-ray detector and an x-ray investigation device. USE - For an x-ray detector in an x-ray investigation device. ADVANTAGE - Has a low capacitance for a relatively large pixel area and is therefore especially suitable for use in x-ray scintillators.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-44887.html