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Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Reflexionsmaske

Production of dielectric reflection mask used as high energy laser mask for processing material using high performance laser comprises arranging absorber layer between substrate and layer system.
 
: Rubahn, K.; Ihlemann, J.; Thielsch, R.

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DE 2000-10017614 A: 20000331
DE 2000-10017614 A: 20000331
DE 10017614 B4: 20050224
B23K0026
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IOF ()

Abstract
(A1) Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Reflexionsmaske beschrieben, die zur Abbildung von lateralen Strukturen mittels Laserstrahlen mit einer Betriebswellenlaenge dient. Bei der Herstellung der Maske wird eine aus einem fuer Laserstrahlen mit der Betriebswellenlaenge transparenten Substrat und einem Laserstrahlen mit der Betriebswellenlaenge reflektierenden Schichtsystem bestehende Anordnung einer die Maskenstruktur aufweisenden Laserstrahlung von der Substratseite her ausgesetzt. Zwischen dem Substrat und dem Schichtsystem wird vor der Bestrahlung mit der die Maskenstruktur aufweisenden Laserstrahlung eine diese Strahlung absorbierende Schicht angeordnet. Hierdurch wird erreicht, dass die zur Ablation der Bereiche der Absorberschicht und des Schichtsystems, in denen die Maske transparent sein soll, eingesetzte Laserstrahlung eine Wellenlaenge haben kann, die unabhaengig von der Betriebswellenlaenge ist. So kann beispielsweise die zur Ablation verwendete Wellenlaenge gleich der Betriebswellenlaenge sein.

 

DE 10017614 A UPAB: 20011211 NOVELTY - Production of a dielectric reflection mask comprises arranging an absorber layer between the substrate and the layer system before radiating with a laser beam. DETAILED DESCRIPTION - Preferred Features: The absorber layer is applied to the substrate before applying the layer system. The substrate is made from quartz glass, sapphire, crystalline quartz, magnesium fluoride, calcium fluoride, barium fluoride or mixed fluorides. The layer system consists of a number of Al2O3/SiO2 layer pairs or high and low breaking fluoride pairs. The absorber layer is made from HfO2, Ta2O5, Nb2O5, CeO2 or TiO2. USE - Used as a high energy laser mask for processing material using a high performance laser. ADVANTAGE - The process is simple.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-44759.html