Fraunhofer-Gesellschaft

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InGaAs-Avalanche-Photodioden für bildgebende Verfahren im kurzwelligen Infrarot

 
: Kleinow, Philipp
: Lausen, G.; Ambacher, O.; Koos, C.

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Fulltext urn:nbn:de:0011-n-4420385 (7.8 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: c3dac1609f5c7ad8338c55f0cd34d068
Created on: 13.04.2019

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Stuttgart: Fraunhofer Verlag, 2017, IX, 133 pp.
Zugl.: Freiburg/Brsg., Univ., Diss., 2016
Science for systems, 30
ISBN: 978-3-8396-1169-2
German
Dissertation, Electronic Publication
Fraunhofer IAF ()
environmental monitoring; Halbleitertechnologie; Bildgebung; Avalanche Photodioden; InGaAs; kurzwelliges Infrarot; APD; Elektroingenieure; Halbleiterphysiker; Messtechnikingenieure

Abstract
Hochempfindliche InGaAs-Detektoren für das kurzwellige Infrarot bieten interessante Eigenschaften, die in der industriellen Prozesskontrolle oder auch in der Verteidigungs- und Sicherheitstechnik vorteilhaft genutzt werden können. In bildgebenden Systemen können augensichere Laser um 1,55 Mikrometer Wellenlänge dazu eingesetzt werden, geschlossene Räume auszuleuchten oder weit entfernte Objekte gezielt zu beleuchten. Dabei dringt kurzwellige Infrarotstrahlung im Vergleich zu sichtbarem Licht um ein Vielfaches besser durch Nebel oder Rauch. Zur zuverlässigen Detektion der schwachen optischen Signale sind Avalanche-Photodioden (APDs) mit ihrer internen Signalverstärkung bestens geeignet. Ziel der vorliegenden Arbeit war die Herstellung eines hochauflösenden Detektor-Arrays basierend auf InGaAs/InAlAs-APDs zum Einsatz in einer empfindlichen Infrarotkamera für den SWIR-Bereich. Durch die konsequente Weiterentwicklung von APD-Strukturen konnte das mit 640×512 Pixeln erste hochauflösende InGaAs/InAlAs-APD-Array demonstriert werden. Die gezeigten Betriebstemperaturen von bis zu 260 K ermöglichen durch den Einsatz von thermoelektrischen Bauelementen eine kompakte und energieeffiziente Bauweise.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-442038.html