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Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Metallkontaktes durch eine dielektrische Schicht

Producing semiconductor-metal contact through dielectric layer involves heating metal coating to form local molten mixture of metal coating and dielectric and semiconducting layers.
 
: Preu, R.; Schneiderloechner, E.; Glunz, S.; Luedemann, R.

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DE 2000-10046170 A: 20000919
DE 2000-10046170 A: 20000919
EP 2001-971984 A: 20010830
WO 2001-EP10029 A: 20010830
DE 10046170 A1: 20020404
EP 1319254 A1: 20030618
H01L0031
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Beschrieben wird ein Verfahren zur elektrischen Kontaktierung einer, mit wenigstens einer passivierenden, dielektrischen Schicht (12) ueberzogenen Halbleiteroberflaeche (13). Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass eine Metallschicht (11) auf die dielektrische Schicht (12) aufgebracht wird und mittels einer Strahlungsquelle (9) diese Metallschicht (11) kurzzeitig lokal punkt- oder linienfoermig erhitzt wird, so dass sich eine Schmelzmischung aus Metallschicht (11), dielektrischer Schicht (12) und dem Halbleiter (13) bildet, die nach dem Erstarren einen guten elektrischen Kontakt zwischen dem Halbleiter (13) und der Metallschicht (11) bildet.

 

WO 200225742 A UPAB: 20020711 NOVELTY - The method involves applying a metal coating to the dielectric layer and heating the metal coating temporarily at a point or line under monitoring to form a local molten mixture of only the metal coating, the dielectric layer and the semiconducting layer immediately beneath the dielectric layer. The molten mixture causes a contact between the semiconducting layer and the metal coating after solidification. USE - For producing a semiconductor-metal contact through a dielectric layer, especially for contacting the base layer of a solar cell. ADVANTAGE - Developed to overcomes certain disadvantages of conventional arrangements, especially to enable manufacture of powerful solar cells on an industrial scale.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-44082.html