Fraunhofer-Gesellschaft

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Aluminium-Scandium als Bond-Pad-Chip-Metallisierung für den Kupferdraht-Bond-Prozess

 
: Geißler, Ute; Stockmeyer, J.; Mukhopadhyay, B.

Produktion von Leiterplatten und Systemen : PLUS 18 (2016), No.11, pp.2225-2231
ISSN: 1436-7505
German
Journal Article
Fraunhofer IZM ()

Abstract
Dünne Schichten einer Aluminium-Scandium (AlSc)-Legierung mit Schichtdicken von 500 bis 3000 nm - wurden durch das PVD-Verfahren (Physical Vapour Deposition) auf oxydierte Si-Wafer abgeschieden, charakterisiert und durch Draht-Bonden mit Cu-Draht im Ball/Wedge-Verfahren getestet. Die äußerst feinkristallinen Schichten konnten mit 25 µm Kupferdraht im Ball/Wedge-Verfahren gebondet und das Splashing durch Bond-Parameteroptimierung auf Werte <3 µm reduziert werden. Bei einer Verwendung von AlSc als Chip-Metallisierung im Cu-Ball/Wedge-Prozess kann der Pitch reduziert werden und zusätzliche OVP-Metallisierungen, z.B. aus Ni/Pd/Au (über Al), würden nicht mehr erforderlich sein.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-435418.html