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Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren

Epitaxie und Charakterisierung von UV-Photodetektoren auf der Basis des AlGaN-Schichtsystems
 
: Albrecht, B.
: Lausen, G.; Ambacher, O.; Eberl, C.

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Fulltext urn:nbn:de:0011-n-4319312 (13 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: e6edff76e807af338c49f33d1670eb8b
Created on: 10.01.2019

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Stuttgart: Fraunhofer Verlag, 2017, 119 pp.
Zugl.: Freiburg/Brsg., Univ., Diss., 2016
Science for systems, 28
ISBN: 978-3-8396-1111-1
German
Dissertation, Electronic Publication
Fraunhofer IAF ()
electronic devices & materials; optical physics; applied physics; UV-Photodetektoren; Gasphasenepitaxie; Forschungsingenieure

Abstract
AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der elektrooptischen Leistungseigenschaften. Schwerpunkt dieser Dissertation ist daher die metallorganische Gasphasenepitaxie und die Charakterisierung der AlGaN-Schichten zur Prozessierung von p-i-n-Photodioden für die Messung von UV-Strahlung.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-431931.html