Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

High performance 100 nm T-gate strained Si/Si0.6Ge0.4 n-MODFET

 
: Aniel, F.; Enciso-Aguilar, M.; Giguerre, L.; Crozat, P.; Adde, R.; Mack, T.; Seiler, U.; Hackbarth, T.; Herzog, H.J.; König, U.; Raynor, B.

:

Solid-State Electronics 47 (2003), No.2, pp.283-289
ISSN: 0038-1101
English
Journal Article
Fraunhofer IAF ()

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-37254.html