Fraunhofer-Gesellschaft

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Verfahren zur Charakterisierung eines Halbleiterwafers

 
: Haunschild, Jonas; Broisch, Juliane; Rein, Stefan

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DE 102014205323 A1: 20140321
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Charakterisierung eines Halbleiterwafers, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Bereitstellen des Halbleiterwafers; B Bestimmen der Dotierkonzentration und/oder des Schichtwiderstandes des Halbleiterwafers; Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Verfahrensschritt B die Bestimmung an einem oder mehreren in einem Messbereich liegenden Messpunkt erfolgt, wobei der Messbereich innerhalb eines Randbereiches des Halbleiterwafers liegt.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-364117.html