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Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung

Field-effect transistor and method for the fabrication thereof
 
: Quay, Rüdiger; Köhler, Klaus

:
Frontpage ()

DE 102013224361 A1: 20131128
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IAF ()

Abstract
Die Erfindung betrifft einen Feldeffekttransistor (1) mit zumindest einer Schicht (11, 12), welche einen III-V-Verbindungshalbleiter enthält oder daraus besteht, wobei der Verbindungshalbleiter zumindest ein Element der III. Hauptgruppe enthält, welches ausgewählt ist aus Gallium, Aluminium, Indium und/oder Bor, und weiter zumindest ein Element der V. Hauptgruppe enthält, welches ausgewählt ist aus Stickstoff, Phosphor und/oder Arsen und zumindest Stickstoff enthält, wobei eine Source- (21) und/oder Drainelektrode (22) zumindest ein Teilvolumen (31, 33) des Feldeffekttransistors (1) umfasst, welches zumindest einen Dotierstoff enthält, wobei die Tiefe (X1) des Teilvolumens (31, 33) zwischen etwa 10 nm und etwa 200 nm, insbesondere zwischen etwa 10 nm und etwa 30 nm beträgt. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Feldeffekttransistors.

 

US2015145032A [EN] The invention relates to a field-effect transistor and a method for its manufacturing having at least one layer, said layer comprising a III-V compound semiconductor, wherein the compound semiconductor comprises at least one element from the chemical group III being selected from any of gallium, aluminium, indium and/or boron and wherein the compound semiconductor comprises at least one element from the chemical group V being selected from nitrogen, phosphorous and/or arsenic, wherein the compound semiconductor comprises at least nitrogen, wherein the field-effect transistor comprises at least any of a source electrode and/or a drain electrode, said source electrode and/or drain electrode comprising at least one doped region extending from the surface into the at least one layer, wherein the depth of penetration of said doped region is selected from approximately 10 nm to approximately 200 nm.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-345473.html