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Influence of growth temperature on the defect density for 4H-SiC homoepitaxy

Poster presented at 4. Seminar der "Jungen DGKK", 03. März 2015, Frankfurt a. M.
Einfluss der Wachstumstemperatur auf die Defektdichte in der 4H-SiC Homoepitaxie
 
: Kaminzky, Daniel; Roßhirt, Katharina; Kallinger, Birgit; Berwian, Patrick; Friedrich, Jochen

:
Poster urn:nbn:de:0011-n-3451002 (1.0 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: c6d5677e7ebf79e17b29bd1247583dd0
Created on: 16.6.2015


2015, 1 Folie
Seminar "Jungen DGKK" <2015, Frankfurt/M.>
Bayerische Forschungsstiftung BFS
AZ-1028-12; SiC-WinS
English
Poster, Electronic Publication
Fraunhofer IISB ()
semiconductor; silicon carbide; 4H-SiC; homoepitaxy; point defects; extended defects; stacking faults; photoluminescence; UV-PL; DLS; carrier lifetime; µ-PCD; surface topography; AFM

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-345100.html