Fraunhofer-Gesellschaft

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Imaging defect luminescence measurements of 4H-SiC by UV-PL

Presentation held at DKT 2015, March 4-6, 2015, Frankfurt a. Main
Abbildende Defektlumineszenz an 4H-SiC durch ultraviolette Photolumineszenz
 
: Kaminzky, Daniel; Roßhirt, Katharina; Kallinger, Birgit; Berwian, Patrick; Friedrich, Jochen; Oppel, Steffen; Schneider, Adrian; Schütz, Michael

:
presentation urn:nbn:de:0011-n-3450938 (1.2 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: 9b73b643ad450280de2e74e3167faedd
Created on: 16.6.2015


2015, 14 Folien
Deutsche Kristallzüchtungstagung (DKT) <2015, Frankfurt/M.>
Bayerische Forschungsstiftung BFS
AZ-1028-12; SiC-WinS
English
Presentation, Electronic Publication
Fraunhofer IISB ()
semiconductor; silicon carbide; 4H-SiC; structural defects; dislocations; photoluminescence; UV-PL; DLS

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-345093.html