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Title
Verfahren zum Erzeugen einer metallischen Kontaktierungsstruktur auf einem Halbleitersubstrat
Date Issued
2015
Author(s)
Graf, Martin
Patent No
102013220886
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer metallischen Kontaktierungsstruktur auf einem Halbleitersubstrat, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Bereitstellen eines Substrats mit zumindest einer Halbleiterschicht und mindestens einer metallischen Elektrode zur elektrischen Kontaktierung; B Zumindest teilweises Beschichten der Elektrode mit einem leitfähigen, lötbaren Material; Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass Verfahrensschritt B folgende Verfahrensschritte umfasst: B1 Anordnen des lötbaren Materials an einer Oberfläche der Elektrode; B2 Erzeugen einer mechanisch Haftenden und elektrisch leitenden Verbindung zwischen Elektrode (2) und lötbarem Material durch Beaufschlagen des lötbaren Materials mit Laserstrahlung.
Language
de
Patenprio
DE 102013220886 A1: 20131015