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Verfahren zum Erzeugen einer metallischen Kontaktierungsstruktur auf einem Halbleitersubstrat

 
: Nekarda, Jan; Graf, Martin

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DE 102013220886 A1: 20131015
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer metallischen Kontaktierungsstruktur auf einem Halbleitersubstrat, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Bereitstellen eines Substrats mit zumindest einer Halbleiterschicht und mindestens einer metallischen Elektrode zur elektrischen Kontaktierung; B Zumindest teilweises Beschichten der Elektrode mit einem leitfähigen, lötbaren Material; Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass Verfahrensschritt B folgende Verfahrensschritte umfasst: B1 Anordnen des lötbaren Materials an einer Oberfläche der Elektrode; B2 Erzeugen einer mechanisch Haftenden und elektrisch leitenden Verbindung zwischen Elektrode (2) und lötbarem Material durch Beaufschlagen des lötbaren Materials mit Laserstrahlung.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-337542.html