Es wird ein Strahlungsabsorber (10) mit einem Substrat (1) angegeben, das Silizium oder eine Siliziumverbindung enthält, wobei - das Substrat (1) eine Oberflächenstruktur (3) aufweist, die einer Strahlungseintrittsfläche (5) des Strahlungsabsorbers (10) zugewandt ist und sich mindestens bis in eine Tiefe von 100 nm in das Substrat (1) hinein erstreckt, und - das Substrat (1) mit einem Dotierstoff dotiert ist, wobei die Dotierstoffkonzentration in dem Substrat (1) mindestens 1 1019 cm-3 beträgt.