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Verfahren zum Abscheiden einer piezoelektrischen AlN-haltigen Schicht sowie eine AlN-haltige piezoelektrische Schicht

METHOD FOR DEPOSITING A PIEZOELECTRIC FILM CONTAINING AIN, AND A PIEZOELECTRIC FILM CONTAINING AIN
 
: Bartzsch, Hagen; Glöß, Daniel; Frach, Peter; Barth, Stephan

:
Frontpage ()

DE 102013213935 A1: 20130716
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer FEP ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden einer piezoelektrischen AlN-haltigen Schicht auf einem Substrat (2) mittels Magnetron-Sputterns mindestens zweier Targets (4; 5), von denen mindestens ein Target (4; 5) Aluminium umfasst, innerhalb einer Vakuumkammer (1), wobei ein Gasgemisch in die Vakuumkammer (1) eingelassen wird, welches mindestens das Reaktivgas Stickstoff und ein Inertgas umfasst, wobei während des Magnetron-Sputterns abwechselnd der unipolare Pulsmodus und der bipolare Pulsmodus verwendet werden. Die Erfindung betrifft ferner eine AlN-haltige Schicht der Formel AlXNYOZ, wobei (0,1 <= X <= 1,2); (0,1 <= Y <= 1,2) und (0,001 <= Z <= 0,1) sind.

 

The invention relates to a method for depositing a piezoelectric film containing AIN on a substrate (2) by means of magnetron sputtering of at least two targets (4; 5) - of which at least one target (4; 5) contains aluminum - within a vacuum chamber (1), into which a mixture of gases containing at least the reactive gas nitrogen and an inert gas is introduced, and during which magnetron sputtering the unipolar pulse mode and the bipolar pulse mode are alternately used. The invention also relates to a film containing AIN of formula AlXNYOZ, where (0.1 <= X <= 1.2); (0.1 <= Y <= 1.2) and (0.001 <= Z <= 0.1)

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-337439.html