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Integration von ZnO Nanopartikel Dünnschicht-Transistoren durch Sprühbeschichtung

 
: Vidor, F.F.; Hilleringmann, U.

Hoffmann, M. ; VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik, Mikro- und Feinwerktechnik -GMM-:
Mikro-Nano-Integration. Beiträge des 5. GMM-Workshops 2014. CD-ROM : 8. - 9. Oktober 2014 in Ilmenau
Berlin: VDE-Verlag, 2014 (GMM-Fachbericht 81)
ISBN: 978-3-8007-3632-4
5 pp.
Workshop Mikro-Nano-Integration <5, 2014, Ilmenau>
German
Conference Paper
Fraunhofer ENAS ()

Abstract
Aktuell erregen transparente und flexible elektronische Schaltungen und Displays große Aufmerksamkeit. Ihre Integration auf flexiblen Substraten, Kompatibilität mit Hochdurchsatz-Druckverfahren und die damit verbundenen geringen Herstellungskosten begründen dieses Interesse. Daher werden Dünnschicht-Transistoren (TFTs) detailliert analysiert. Zinkoxid (ZnO) wird für diese Technologie als zukunftsträchtiges Halbleitermaterial gehandelt. Als Grundlage für spätere Druckprozesse untersuchen wir die Abscheidung einer ZnO-Nanopartikel-Dispersion durch ein Sprühbeschichtungsverfahren mit einer maximalen Prozesstemperatur von 150Grad C. Für diese Studie wurde ein koplanarer Aufbau mit hoch permittivem Lack als Gate-Dielektrikum verwendet. Die integrierten Transistoren weisen eine Einschaltspannung von ca. 0 V, eine Strommodulation von ION/IOFF = 104 und eine Feldeffekt-Beweglichkeit in der Größenordnung von 0.04 cm2/Vs auf. Darüber hinaus wird die Verbesserung der Filmmorphologie durch die Verwendung einer Sauerstoff- Plasmabehandlung vor und eine Erwärmung der Wafer während des Sprühverfahrens der Nanopartikel-Dispersion analysiert.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-328275.html