Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Halbleiterbauelement, insbesondere Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer metallischen Kontaktierungsstruktur eines Halbleiterbauelementes

SEMICONDUCTOR COMPONENT, MORE PARTICULARLY SOLAR CELL, AND METHOD FOR PRODUCING A METALLIC CONTACT-MAKING STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT
 
: Binder, Sebastian; Kalio, Andre; Hörteis, Matthias; Bartsch, Jonas; Bivour, Martin

:
Frontpage ()

DE 102013203061 A1: 20130225
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer metallischen Kontaktierungsstruktur eines Halbleiterbauelementes, insbesondere einer photovoltaischen Solarzelle, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Aufbringen mindestens einer TCO-Schicht auf eine Halbleiterschicht des Halbleiterbauelementes und B Erzeugen einer metallischen Kontaktierungsstruktur, welche mindestens einen Metallisierungsbereich der TCO-Schicht bedeckt, welcher Metallisierungsbereich ein Teilbereich einer der Halbleiterschicht abgewandten Metallisierungsoberfläche der TCO-Schicht ist, wobei die Kontaktierungsstruktur mittels galvanischer Abscheidung erzeugt wird und wobei die Kontaktierungsstruktur die TCO-Schicht an der Metallisierungsoberfläche mindestens einen Nichtmetallisierungsbereich aussparend aufgebracht wird.; Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Verfahrensschritt A die TCO-Schicht zumindest in dem Nichtmetallisierungsbereich mit einer geringen Leitfähigkeit und/oder mit einer geringen Haftung gegenüber dem Metall der galvanischen Abscheidung ausgebildet wird.

 

The invention relates to a method for producing a metallic contact-making structure of a semiconductor component, more particularly of a photovoltaic solar cell, comprising the following method steps: A applying at least one TCO layer to a semiconductor layer of the semiconductor component, and B producing a metallic contact-making structure which covers at least one metallization region of the TCO layer, which metallization region is a partial region of a metallization surface of the TCO layer which faces away from the semiconductor layer, wherein the contact-making structure is produced by means of electrodeposition, and wherein the contact-making structure is applied to the TCO layer at the metallization surface in a manner omitting at least one non-metallization region. The invention is characterized in that in method step A the TCO layer is formed at least in the non-metallization region with a low conductivity and/or with a low adhesion relative to the metal of the electrodeposition.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-311193.html