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Halbleiterlaser zur Lichtemission im MIR-Bereich

Semiconductor laser formed as coupled quantum films including three semiconductor layers and a barrier layer useful for light emission in the MWIR or LWIR regions and for contact-free chemical study of gas traces.
 
: Mermelstein, C.; Wagner, J.; Schmitz, J.

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DE 2003-10353389 A: 20031114
DE 2003-10353389 A: 20031114
DE 10353389 A1: 20050602
H01S0005
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IAF ()

Abstract
Beschrieben wird ein Halbleiterlaser mit einer Anzahl n sich in periodischer Abfolge wiederkehrenden, als gekoppelte Quantenfilme ausgebildete, optisch aktive Schichtbereiche, die jeweils wenigstens drei Halbleiterschichten aufweisen, von denen eine erste und zweite Halbleiterschicht miteinander wechselwirkende Leitungsband-Energie-Niveaus aufweisen, wobei die erste und zweite Halbleiterschicht durch wenigstens eine dritte, diskrete, quantisierte Loecher-Energiezustaende aufweisende Halbleiterschicht raeumlich voneinander getrennt sind, und mit einer Anzahl n-1 Barriereschichten, von denen jeweils eine Barriereschicht zur raeumlichen Trennung zweier benachbart angeordneter, optisch aktiver Schichtbereich vorgesehen ist. Die Erfindung zeichnet isch dadurch aus, dass die Barriereschichten jeweils eine Schichtdicke aufweisen, durch die eine endlich grosse quantenmechanische Kopplung der Wellenfunktionen der wechselwirkenden Leitungsband-Energie-Niveaus der ersten und zweiten Halbleiterschichten zweier benachbart gelegenen, durch jeweils eine Barriereschicht voneinander getrennten, optisch aktiven Schichtbereichen vorliegt.

 

DE 10353389 A UPAB: 20050715 NOVELTY - Semiconductor laser with a number of periodic recurring series (sic), formed as coupled quantum films, optically active layer regions with at least three semiconducting layers, the first and second of which show a reciprocal conductivity band energy level, and have at least a third semiconductor layer having a discrete, quantized hole-energy state, with n-1 barrier layers of specific thickness for spatial separation of two adjacent optically active layer regions. USE - Semiconductor laser is useful for light emission in the Mid-Wave-Infrared (MWIR) or Long-Wave-Infrared (LWIR) regions, for military and civilian applications, and for contact-free chemical study of gas traces ADVANTAGE - The exit light power is increased compared with existing semiconductor lasers.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-30991.html