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Quantenkaskadenlaser

Quantum cascade laser includes a semiconductor multi-layer structure with a cup layer of indium gallium arsenide and a barrier layer of aluminum arsenic arsenide.
 
: Dekorsy, T.; Helm, M.; Georgiev, N.; Kuenzel, H.

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DE 2003-10355949 A: 20031129
DE 2003-10355949 A: 20031129
EP 2004-27605 A: 20041120
DE 10355949 A1: 20050707
EP 1536531 A1: 20050601
H01S0005
H01S0005
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer HHI ()

Abstract
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Quantenkaskadenlaser mit einer Emissionswellenlaenge unterhalb von 3,4 µm und oberhalb von 1,5 µm zu realisieren. Dabei soll die technische Loesung nicht den Nachteil eingebauter piezoelektrischer Felder aufweisen und das Materialsystem soll gitterangepasst auf gaengige Halbleitersubstrate bei einer verbesserten Prozessierbarkeit aufwachsbar sein. Die Erfindung beinhaltet, dass die Halbleiter-Vielschichtstruktur aus InGaAs als Material der Topfschicht und AlAsSb als Material der Barrierenschicht besteht. Vorteilhaft ist es, wenn die Dicke mindestens einer Topfschicht im optisch aktiven Bereich zwischen 1 und 4 nm betraegt.

 

EP 1536531 A UPAB: 20050818 NOVELTY - A quantum cascade laser has an emission wavelength below 3.4 mu m and above 1.5 mu m. The semiconductor multi-layer structure has a cup layer of indium gallium arsenide (InGaAs) and a barrier layer of aluminum arsenic antimonide (AlAsSb). The cup layer thickness is in the optically active range of 1 to 4 nm. USE - Quantum cascade laser. ADVANTAGE - The laser extends the range within which the quantum cascade laser may operate.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-30979.html